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Mejoras a celda fotovoltaica de tipo de silicio amorfo p-i-n.

La presente invención se refiere a mejoras a celda fotovoltaica de tipo de silicio amorfo p-i-n, caracterizada por incorporar ya sea como el lado de tipo p-i-n de la misma expuesto a la luz (ver mas)
La presente invención se refiere a mejoras a celda fotovoltaica de tipo de silicio amorfo p-i-n, caracterizada por incorporar ya sea como el lado de tipo p-i-n de la misma expuesto a la luz incidente, un semiconductor amorfo que tiene un intervalo de banda óptico. Eg-opt, de un número de aproximadamente 1.85 E v, y una conductividad eléctrica de no menos de aproximadamente 10-8 (ohmiocentímetro)-1- a 20°c., Y un potencvial vd, de difusión dfe junta p-i-n de no menos de aproximadamente 1.1 Volts. (Ver figura)

Palabras clave: celda fotovoltaica de tipo; tipo de silicio; tipo p; tipo; amorfo;

Nombre del Agente: Sin información;

Titular: KANEGAFUCKI KAGAKY KABUSHIKI KAISHA

Prioridad:JP 12313 1980/01/29, JP 18-50 1980/12/19, JP 171375 1980/12/03,

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