La presente invención se refiere a un medio de grabación de cambio de fase, se proporciona un medio de grabación con una capa de barrera que incluye Ge-N, Ge-N-O entre una capa de grabación y una capa protectora dieléctrica a fin de prevenir una disfunción de átomos entre la capa de grabación y la capa protectora dieléctrica. También se puede aplicar un material de barrera a la capa protectora misma. De este modo, es posible suprimir considerablemente una reducción de una reflectividad y una reducción de una amplitud de señal debido a la repetición de la grabación y borrado, estas reducciones que se observan en un medio de grabación y borrado, estas reducciones que se observan en un medio de grabación de información óptica de cambio de fase, convencional, de este modo se puede incrementar el número de veces de sobreescritura.
Palabras clave: medio de grabaci capa protectora protectora diel grabaci capa
Nombre del Agente: BERNARDO GOMEZ VEGA; Hamburgo No. 260, Juárez, 06600, Cuauhtémoc, Distrito Federal
Titular: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Prioridad:JP 8-2340161996-09-04 3711997/12/12, JP 8-1760611996-07-05 3711997/12/12, JP 8-527721996-03-11 3711997/12/12,
| Deposito en: | ![]() |
|---|---|
| Solicitud: | PA/a/1997/008642 |
| Presentacion: | 10/11/1997 |
| Tipo de Documento: | Patente |
| Concesión: | 07/06/2002 |