Se presenta un nuevo dispositivo de estado sólido que denominamos Capacitor-N-P. Este dispositivo tiene características como las de un capacitor MOS y una unión P-N. Se aprovechan las ventajas de ambas estructuras para aplicaciones como sensores de radiación y para conocer características de los materiales constituyentes, entre otras. El dispositivo está formado por un substrato semiconductor, un óxido fuera de estequiometría, y una compuerta.
Palabras clave: substrato semiconductor dispositivo sticas
Nombre del Agente: JOSE H. FLORES CORTES; Carlos Santana No. 98, Moctezuma 1ª Secc., 15500, Venustiano Carranza, Distrito Federal
Titular: INSTITUTO NACIONAL DE ASTROFISICA OPTICA Y
| Deposito en: | ![]() |
|---|---|
| Solicitud: | PA/a/1996/004239 |
| Presentacion: | 23/09/1996 |
| Tipo de Documento: | Patente |
| Concesión: | 13/11/2001 |